Найдено 60 товаров
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
![Apacer 8GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [AS08GFA60CATBGJ]](http://cdn.dataimgstore.com/preview/94/5/987615/kaqUnFIr8i.jpeg)
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.5 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.5 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В
![Apacer 4GB DDR3 SO-DIMM PC3-12800 [AS04GFA60CATBGJ]](http://cdn.dataimgstore.com/preview/94/2/987612/xlSTh0E4Eh.jpeg)
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-40, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-40, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-46, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-46, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
