Оперативная память

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 1600 МГц, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 5333 МГц, CL 20T, тайминги 20-30-30, напряжение 1.6 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7600 МГц, CL 36T, тайминги 36-46-46-121, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-89, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.4 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 4133 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-22-22-42, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 4400 МГц, CL 19T, напряжение 1.45 В

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В