Найдено 82 товара
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC
7.68 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC
3.84 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6900/4100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6900/4100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/1800 MBps, случайный доступ: 400000/65000 IOps
2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/1800 MBps, случайный доступ: 400000/65000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/4000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/4000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 97000/27000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы MLC, последовательный доступ: 540/520 MBps, случайный доступ: 97000/27000 IOps
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/320 МБайт/с, случайный доступ: 98000/14000 IOps
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/320 МБайт/с, случайный доступ: 98000/14000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC
M.2, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 97000/88000 IOps
M.2, SATA 3.0, контроллер Samsung MJX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 97000/88000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/800000 IOps, SLC-кэш
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/800000 IOps, SLC-кэш
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/24000 IOps
2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 98000/24000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/2700 МБайт/с, случайный доступ: 740000/130000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/2700 МБайт/с, случайный доступ: 740000/130000 IOps
960 ГБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
960 ГБ, 2.5", SAS 3, микросхемы TLC
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/2400 МБайт/с, случайный доступ: 800000/100000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/2400 МБайт/с, случайный доступ: 800000/100000 IOps
2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/2400 MBps, случайный доступ: 800000/100000 IOps
2.5", PCI Express 4.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 7000/2400 MBps, случайный доступ: 800000/100000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 MBps, случайный доступ: 450000/90000 IOps
2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/2000 MBps, случайный доступ: 450000/90000 IOps