Найдено 715 товаров
M.2, PCI Express 3.0 x2 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/670 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x2 (NVMe), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/670 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 38000/75000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps, случайный доступ: 38000/75000 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3200/1900 МБайт/с, случайный доступ: 200000/250000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3200/1900 МБайт/с, случайный доступ: 200000/250000 IOps
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1850/950 MBps, случайный доступ: 102000/230000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SMI2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1850/950 MBps, случайный доступ: 102000/230000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/3000 МБайт/с
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 5000/3000 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с
M.2, PCI Express 3.0 x8, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1600 MBps, случайный доступ: 249100/225600 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x8, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1600 MBps, случайный доступ: 249100/225600 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3110-S10, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/360 MBps
2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3110-S10, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/360 MBps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21T, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 600000/850000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21T, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 5000/4200 МБайт/с, случайный доступ: 600000/850000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 MBps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3400/2000 MBps, случайный доступ: 150000/200000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3400/2000 MBps, случайный доступ: 150000/200000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1700 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1700 MBps, случайный доступ: 220000/200000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14100/12600 МБайт/с, DRAM-буфер
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14100/12600 МБайт/с, DRAM-буфер
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2500 МБайт/с, случайный доступ: 200000/300000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2500 МБайт/с, случайный доступ: 200000/300000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 545/500 МБайт/с
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 545/500 МБайт/с
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 91000/38000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 91000/38000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MGX, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 98000/88000 IOps